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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQ1922EEH-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 840mA (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Leistung max | 1.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SQ1922EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 | - | 341970 | Einzelheiten |