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| Numero di parte | SI1036X-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 610mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 15V |
| Potenza - Max | 220mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI1030-A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA | - | 0 | Dettagli |
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