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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI1036X-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 610mA (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 15V |
| Leistung max | 220mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SC-89-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI1030-A-GM | Silicon Labs | IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA | - | 0 | Einzelheiten |
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SI1031R-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | - | 0 | Einzelheiten |
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SI1031R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A | - | 27000 | Einzelheiten |
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SI1031X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A | - | 0 | Einzelheiten |
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