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Numero di parte | 2SK3019-TP |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Pacchetto / caso | SOT-523 |