2SK3019TL

MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
2SK3019TL P1
2SK3019TL P2
2SK3019TL P1
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Rohm Semiconductor ~ 2SK3019TL

Numero di parte
2SK3019TL
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte 2SK3019TL
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore EMT3
Pacchetto / caso SC-75, SOT-416

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