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| Numero di parte | FDD2612 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 234pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 42W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 1.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FDD-50ST2/1-LF | Cinch Connectivity Solutions | D-SUB 50 SOD FILTERED TIN | - | 0 | Dettagli |
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FDD044AN03L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK | 0 | Dettagli | |
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FDD050N03B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FDD068AN03L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK | 0 | Dettagli | |
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FDD107AN06LA0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK | 0 | Dettagli | |
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FDD10AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | - | 22500 | Dettagli |
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FDD10AN06A0-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK | - | 88634 | Dettagli |
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FDD10AN06A0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDD10N20LZTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3 | - | 2500 | Dettagli |
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FDD120AN15A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | - | 2500 | Dettagli |
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FDD120AN15A0-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | - | 114993 | Dettagli |
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FDD120AN15A0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | - | 0 | Dettagli |