DMN67D8LW-13

MOSFET N-CH 60V SOT323
DMN67D8LW-13 P1
DMN67D8LW-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN67D8LW-13

Numero di parte
DMN67D8LW-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V SOT323
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- DMN67D8LW-13 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMN67D8LW-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 240mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.82nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323

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