DMN6013LFGQ-7

MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
DMN6013LFGQ-7 P1
DMN6013LFGQ-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN6013LFGQ-7

Numero di parte
DMN6013LFGQ-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMN6013LFGQ-7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2577pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN

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