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| Numero di parte | BZT52C6V2TQ-13-F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
| Tolleranza | ±6% |
| Potenza - Max | 300mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 10 Ohm |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 4V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BZT52C10 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F | - | 1642807 | Dettagli |
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BZT52C10-13 | Diodes Incorporated | DIODE ZENER 10V 500MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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BZT52C10-7 | Diodes Incorporated | DIODE ZENER 10V 500MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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BZT52C10-7-F | Diodes Incorporated | DIODE ZENER 10V 500MW SOD123 | - | 63000 | Dettagli |
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BZT52C10-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 410MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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BZT52C10-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 410MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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BZT52C10-G RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE ZENER 10V 350MW SOD123 | - | 1636684 | Dettagli |
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BZT52C10-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 410MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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BZT52C10-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 410MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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BZT52C10-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 410MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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BZT52C10-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 410MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |
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BZT52C10-TP | Micro Commercial Co | DIODE ZENER 10V 500MW SOD123 | - | 0 | Dettagli |