EGL34AHE3_A/I

DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
EGL34AHE3_A/I P1
EGL34AHE3_A/I P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ EGL34AHE3_A/I

Numéro d'article
EGL34AHE3_A/I
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article EGL34AHE3_A/I
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Courant - Rectifié moyen (Io) 500mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.25V @ 500mA
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F 7pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas DO-213AA (Glass)
Package de périphérique fournisseur DO-213AA (GL34)
Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C

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