EGL34AHE3_A/I

DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
EGL34AHE3_A/I P1
EGL34AHE3_A/I P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ EGL34AHE3_A/I

Artikelnummer
EGL34AHE3_A/I
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer EGL34AHE3_A/I
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 500mA
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F 7pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-213AA (Glass)
Lieferantengerätepaket DO-213AA (GL34)
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C

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