BAS316,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
BAS316,H3F P1
BAS316,H3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ BAS316,H3F

Numéro d'article
BAS316,H3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article BAS316,H3F
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) 250mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.25V @ 150mA
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 3ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 200nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-76, SOD-323
Package de périphérique fournisseur USC
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)

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