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Toshiba Semiconductor and Storage ~ BAS316,H3F

Artikelnummer	BAS316,H3F
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	3ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	200nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F	0.35pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-76, SOD-323
Lieferantengerätepaket	USC
Betriebstemperatur - Kreuzung	150°C (Max)

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BAS3005A02VH6327XTSA1	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2	-	659260	Einzelheiten
BAS3005B02VH6327XTSA1	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2	-	659260	Einzelheiten
BAS3005S02LRHE6327XTSA1	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA TSLP-2	-	0	Einzelheiten
BAS3007ARPPE6327HTSA1	Infineon Technologies	BRIDGE RECT 1P 30V 900MA SOT143	-	344889	Einzelheiten
BAS3010A03WE6327HTSA1	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2	-	27000	Einzelheiten
BAS3010B03WE6327HTSA1	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2	-	6000	Einzelheiten
BAS3010S02LRHE6327XTSA1	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2	-	644235	Einzelheiten
BAS3020BH6327XTSA1	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT363-6	-	0	Einzelheiten
BAS31	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23	-	18000	Einzelheiten
BAS31,215	Nexperia USA Inc.	DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23		3000	Einzelheiten
BAS31,235	Nexperia USA Inc.	DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23		0	Einzelheiten
BAS31-D87Z	ON Semiconductor	DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23	-	1827418	Einzelheiten