MMBFJ177_G

INTEGRATED CIRCUIT
MMBFJ177_G P1
MMBFJ177_G P1
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ON Semiconductor ~ MMBFJ177_G

Numéro d'article
MMBFJ177_G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- MMBFJ177_G PDF online browsing
Famille
Transistors - JFET
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Numéro d'article MMBFJ177_G
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 30V
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 1.5mA @ 15V
Drain de courant (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 800mV @ 10nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Résistance - RDS (On) -
Puissance - Max 225mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3

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