MMBFJ177_G

INTEGRATED CIRCUIT
MMBFJ177_G P1
MMBFJ177_G P1
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ON Semiconductor ~ MMBFJ177_G

Artikelnummer
MMBFJ177_G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - JFETs
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Artikelnummer MMBFJ177_G
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS) 30V
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 1.5mA @ 15V
Stromabfluss (Id) - Max -
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 10nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Widerstand - RDS (Ein) -
Leistung max 225mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3

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