2N7000RLRA

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
2N7000RLRA P1
2N7000RLRA P1
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ON Semiconductor ~ 2N7000RLRA

Numéro d'article
2N7000RLRA
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article 2N7000RLRA
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-92-3
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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