2N7000-G

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
2N7000-G P1
2N7000-G P1
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Microchip Technology ~ 2N7000-G

Numéro d'article
2N7000-G
Fabricant
Microchip Technology
La description
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 2N7000-G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article 2N7000-G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 200mA (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-92-3
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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