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GeneSiC Semiconductor ~ GA10JT12-247

Numéro d'article	GA10JT12-247
État de la pièce	Active
FET Type	-
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 10A
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247AB
Paquet / cas	TO-247-3

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
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