SIR690DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8
SIR690DP-T1-RE3 P1
SIR690DP-T1-RE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIR690DP-T1-RE3

Artikelnummer
SIR690DP-T1-RE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SIR690DP-T1-RE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 34.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1935pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Fall PowerPAK® SO-8

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