SIR698DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
SIR698DP-T1-GE3 P1
SIR698DP-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIR698DP-T1-GE3

Artikelnummer
SIR698DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SIR698DP-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Fall PowerPAK® SO-8

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