SSM6J503NU,LF

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
SSM6J503NU,LF P1
SSM6J503NU,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6J503NU,LF

Artikelnummer
SSM6J503NU,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SSM6J503NU,LF
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-UDFNB (2x2)
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad

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