SSM6J503NU,LF

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
SSM6J503NU,LF P1
SSM6J503NU,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6J503NU,LF

Numéro d'article
SSM6J503NU,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SSM6J503NU,LF PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SSM6J503NU,LF
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.4 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-UDFNB (2x2)
Paquet / cas 6-WDFN Exposed Pad

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