SSM3J35CT,L3F

MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
SSM3J35CT,L3F P1
SSM3J35CT,L3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J35CT,L3F

Artikelnummer
SSM3J35CT,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- SSM3J35CT,L3F PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SSM3J35CT,L3F
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.2pF @ 3V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 100mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket CST3
Paket / Fall SC-101, SOT-883

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