SSM3J35CT,L3F

MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
SSM3J35CT,L3F P1
SSM3J35CT,L3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3J35CT,L3F

Numéro d'article
SSM3J35CT,L3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SSM3J35CT,L3F PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article SSM3J35CT,L3F
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12.2pF @ 3V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur CST3
Paquet / cas SC-101, SOT-883

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