NTLJS3A18PZTWG

MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
NTLJS3A18PZTWG P1
NTLJS3A18PZTWG P1
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ON Semiconductor ~ NTLJS3A18PZTWG

Artikelnummer
NTLJS3A18PZTWG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTLJS3A18PZTWG
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2240pF @ 15V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2)
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad

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