NTLJS3180PZTAG

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
NTLJS3180PZTAG P1
NTLJS3180PZTAG P1
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ON Semiconductor ~ NTLJS3180PZTAG

Artikelnummer
NTLJS3180PZTAG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTLJS3180PZTAG
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 16V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 3A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2)
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad

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