MJD112RLG

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112RLG P1
MJD112RLG P1
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ON Semiconductor ~ MJD112RLG

Artikelnummer
MJD112RLG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer MJD112RLG
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Leistung max 1.75W
Frequenz - Übergang 25MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK-3

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