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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MJD112TF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 100V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 20µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Leistung max | 1.75W |
| Frequenz - Übergang | 25MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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MJD112-001 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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MJD112-1G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK | - | 2698 | Einzelheiten |
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MJD112-TP | Micro Commercial Co | TRANS NPN 100V 2A DPAK | - | 2500 | Einzelheiten |
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MJD112G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | - | 2471 | Einzelheiten |
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MJD112RL | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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MJD112RLG | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | - | 1800 | Einzelheiten |
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MJD112T4 | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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MJD112T4G | ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | - | 7500 | Einzelheiten |
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MJD112TF | Fairchild/ON Semiconductor | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | - | 4000 | Einzelheiten |
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MJD117 | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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MJD117-001 | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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MJD117-1G | ON Semiconductor | TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK | - | 141 | Einzelheiten |