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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMV45EN2VL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 209pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 510mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PMV40UN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMV40UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23 | 36000 | Einzelheiten | |
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PMV42ENER | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | 3000 | Einzelheiten | |
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PMV450ENEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 0 | Einzelheiten | |
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PMV45EN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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PMV45EN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | 45000 | Einzelheiten | |
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PMV45EN2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB | - | 744266 | Einzelheiten |
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PMV48XP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | 21000 | Einzelheiten | |
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PMV48XP/MIR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V SOT23 | - | 6828 | Einzelheiten |
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PMV48XPAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 | 9000 | Einzelheiten | |
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PMV48XPVL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB | - | 858336 | Einzelheiten |