PMV45EN2VL

MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
PMV45EN2VL P1
PMV45EN2VL P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMV45EN2VL

Numéro d'article
PMV45EN2VL
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article PMV45EN2VL
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 209pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 510mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-236AB
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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