DF200R12W1H3B27BOMA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A
DF200R12W1H3B27BOMA1 P1
DF200R12W1H3B27BOMA1 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ DF200R12W1H3B27BOMA1

Artikelnummer
DF200R12W1H3B27BOMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- DF200R12W1H3B27BOMA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer DF200R12W1H3B27BOMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Leistung max 375W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.3V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

Verwandte Produkte

Alle Produkte