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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DF200R12KE3HOSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | - |
| Leistung max | 1040W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1200V 200A | - | 699 | Einzelheiten |
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