| номер части | SUD50N03-06AP-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 90A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3800pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 10W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | TO-252, (D-Pak) |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50N02-04P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A DPAK | - | 0 | подробности |
 |
SUD50N02-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SUD50N02-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V DPAK | - | 0 | подробности |
 |
SUD50N02-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 20A TO252 | 0 | подробности | |
 |
SUD50N024-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 22V 49A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SUD50N025-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 78A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SUD50N03-06AP-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | - | 4000 | подробности |
 |
SUD50N03-06AP-T4E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SUD50N03-06P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 84A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SUD50N03-09P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | - | 2000 | подробности |
 |
SUD50N03-09P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 63A TO252 | - | 0 | подробности |
 |
SUD50N03-11-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 50A TO252 | - | 0 | подробности |
