| номер части | SIA430DJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 800pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 7A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SC-70-6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | - | 3000 | подробности |
 |
SIA430DJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC-70-6 | - | 6084 | подробности |
|
SIA430DJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 | - | 323255 | подробности |
|
SIA430DJT-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A SC-70-6 | - | 332090 | подробности |
 |
SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 | - | 3000 | подробности |
 |
SIA432DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 | - | 0 | подробности |
 |
SIA433EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6 | - | 0 | подробности |
 |
SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L | - | 0 | подробности |
 |
SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6 | - | 33000 | подробности |
 |
SIA438EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L | - | 0 | подробности |
 |
SIA439EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L | - | 0 | подробности |
