| номер части | SI7846DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 150V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка / чехол | PowerPAK® SO-8 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7840BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7840BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7842DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7842DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7844DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7846DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7846DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | - | 15000 | подробности |
 |
SI7848BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | - | 0 | подробности |
 |
SI7848DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8 | 0 | подробности |
