SI4823DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
SI4823DY-T1-GE3 P1
SI4823DY-T1-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI4823DY-T1-GE3

номер части
SI4823DY-T1-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI4823DY-T1-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI4823DY-T1-GE3
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 660pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SO
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты