SI4462DY-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
SI4462DY-T1-E3 P1
SI4462DY-T1-E3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SI4462DY-T1-E3

номер части
SI4462DY-T1-E3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SI4462DY-T1-E3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SI4462DY-T1-E3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.15A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 1.5A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SO
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты