| номер части | SI4431CDY-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1006pF @ 15V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 7A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4430-A0-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN | 0 | подробности | |
 |
SI4430-B1-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 27 | подробности |
 |
SI4430-B1-FMR | Silicon Labs | IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 0 | подробности |
 |
SI4430BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4430BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4431-A0-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN | 0 | подробности | |
 |
SI4431-B1-FM | Silicon Labs | IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 32 | подробности |
 |
SI4431-B1-FMR | Silicon Labs | IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN | - | 0 | подробности |
 |
SI4431BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC | - | 5000 | подробности |
 |
SI4431BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4431CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC | - | 0 | подробности |
 |
SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC | - | 5000 | подробности |
