| номер части | SI3552DV-T1-E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Мощность - макс. | 1.15W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3552DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP | - | 12000 | подробности |
 |
SI3552DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP | - | 0 | подробности |
