| номер части | SI3473DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 12V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.9A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP |
| Упаковка / чехол | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3473CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | подробности |
 |
SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | подробности |
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | - | 412864 | подробности |
 |
SI3473DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | подробности |
 |
SI3473DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | подробности |
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6 | - | 6000 | подробности |
 |
SI3475DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | подробности |
 |
SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | подробности |
 |
SI3476DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6 | - | 12000 | подробности |
 |
SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 3000 | подробности |
