номер части | SI3430DV-T1-GE3 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.14W (Ta) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 2.4A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | 6-TSOP |
Упаковка / чехол | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |