| номер части | SI2312BDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.9A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | - |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2312-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE | - | 0 | подробности |
 |
SI2312BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | - | 9000 | подробности |
 |
SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | - | 39000 | подробности |
 |
SI2312CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 | - | 0 | подробности |
