Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58CYG0S3HQAIE

номер части: TC58CYG0S3HQAIE
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: 1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: TC58CYG0S3HQAIE.pdf TC58CYG0S3HQAIE PDF online browsing
семья: Память

номер части	TC58CYG0S3HQAIE
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	1Gb (128M x 8)
Частота часов	104MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	155µs
Интерфейс памяти	SPI
Напряжение - Поставка	1.7 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Пакет устройств поставщика	16-SOP

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
TC58CVG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V		1	подробности
TC58CVG0S3HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V		0	подробности
TC58CVG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V	-	11128	подробности
TC58CVG2S0HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V		0	подробности
TC58CVG2S0HRAIG	Toshiba Semiconductor and Storage	4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V		0	подробности
TC58CYG0S3HQAIE	Toshiba Semiconductor and Storage	1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 1.8V		43	подробности
TC58CYG0S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	-	14136	подробности
TC58CYG1S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	-	11128	подробности
TC58CYG2S0HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V	-	9763	подробности