TSM180N03PQ33 RGG

MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
TSM180N03PQ33 RGG P1
TSM180N03PQ33 RGG P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM180N03PQ33 RGG

номер части
TSM180N03PQ33 RGG
производитель
Taiwan Semiconductor Corporation
Описание
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- TSM180N03PQ33 RGG PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части TSM180N03PQ33 RGG
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 345pF @ 25V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 21W (Tc)
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-PDFN (3x3)
Упаковка / чехол 8-PowerWDFN

сопутствующие товары

Все продукты