RRS110N03TB1

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
RRS110N03TB1 P1
RRS110N03TB1 P2
RRS110N03TB1 P1
RRS110N03TB1 P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ RRS110N03TB1

номер части
RRS110N03TB1
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
RRS110N03TB1.pdf RRS110N03TB1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части RRS110N03TB1
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2000pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 12.6 mOhm @ 11A, 10V
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOP
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты