EMG3T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
EMG3T2R P1
EMG3T2R P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ EMG3T2R

номер части
EMG3T2R
производитель
Rohm Semiconductor
Описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
EMG3T2R.pdf EMG3T2R PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части EMG3T2R
Статус детали Active
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA (ICBO)
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-75, SOT-416
Пакет устройств поставщика EMT3

сопутствующие товары

Все продукты