Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ BA4558

номер части: BA4558
производитель: Rohm Semiconductor
Описание: IC OPAMP GP 2MHZ 8DIP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BA4558.pdf BA4558 PDF online browsing
семья: Линейные - Усилители - Измерительные приборы, OP-усилители, Буферные усилители

номер части	BA4558
Статус детали	Active
Тип усилителя	General Purpose
Количество схем	2
Тип выхода	-
Скорость нарастания	1.2 V/µs
Получите пропускную способность продукта	2MHz
Пропускная способность -3 дБ	-
Ток - входное смещение	60nA
Напряжение - смещение входа	500µV
Текущий - поставка	3mA
Текущий - выход / канал	10mA
Напряжение - Питание, Одиночный / Двойной (±)	8 V ~ 30 V, ±4 V ~ 15 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Пакет устройств поставщика	8-DIP

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BA 595 B6327	Infineon Technologies	DIODE RF SW 50V 50MA SOD-323	-	0	подробности
BA 779 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23		0	подробности
BA 892 E6127	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80	-	0	подробности
BA 892 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80	-	0	подробности
BA 892 E6433	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80	-	0	подробности
BA 892 L6327	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80	-	0	подробности
BA 892-02L E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA TSLP-2	-	0	подробности
BA 892-02V E6127	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SC-79	-	0	подробности
BA 892-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SC-79	-	0	подробности
BA 892-02V E6433	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SC-79	-	0	подробности
BA 892-02V H6127	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SC79	-	32000	подробности
BA 895 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SW 50V 50MA SCD-80	-	0	подробности