| номер части | NSVIMD10AMT1G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 500mA |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 13 kOhms, 130 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Частота - переход | - |
| Мощность - макс. | 285mW |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Пакет устройств поставщика | SC-74R |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVIMD10AMT1G | ON Semiconductor | SURF MT BIASED RES XSTR | - | 611344 | подробности |
