MMBFJ201_G

INTEGRATED CIRCUIT
MMBFJ201_G P1
MMBFJ201_G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ MMBFJ201_G

номер части
MMBFJ201_G
производитель
ON Semiconductor
Описание
INTEGRATED CIRCUIT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MMBFJ201_G PDF online browsing
семья
Транзисторы - JFET
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MMBFJ201_G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Напряжение - пробой (V (BR) GSS) 40V
Слив к источнику напряжения (Vdss) -
Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 200µA @ 20V
Текущий слив (Id) - Макс. -
Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id 300mV @ 10nA
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Сопротивление - RDS (Вкл.) -
Мощность - макс. 350mW
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика SOT-23-3

сопутствующие товары

Все продукты