2SB817C-1E

TRANS PNP 140V 12A
2SB817C-1E P1
2SB817C-1E P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ 2SB817C-1E

номер части
2SB817C-1E
производитель
ON Semiconductor
Описание
TRANS PNP 140V 12A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- 2SB817C-1E PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 2SB817C-1E
Статус детали Active
Тип транзистора PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 12A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 140V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 100µA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V
Мощность - макс. 120W
Частота - переход 10MHz
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-3P-3, SC-65-3
Пакет устройств поставщика TO-3P-3L

сопутствующие товары

Все продукты